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PTCDA/P-Si异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片

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摘要

本实用新型公开了一种PTCDA/P-S异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片，包括铝电极层、P-Si衬底、PTCDA层和ITO膜，ITO膜的表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的镍柱；镍柱的表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的铝柱。该镍柱和铝柱形成低阻欧姆电极，经测试该低阻欧姆电极的比接触电阻为2.3×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-05-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L51/42 授权公告日:20111228 终止日期:20120317 申请日:20110317

专利权的终止
2011-12-28

授权

授权

1. PTCDA/P-Si异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片 [P] . 中国专利： CN202094178U . 2011.12.28
2. 集成有多端口光波导的低维材料异质结光电探测器 [P] . 中国专利： CN111180537B . 2021.05.25
3. Organic photo-detector i.e. organic photodiode, has bulk-heterojunction-blend, whose components concentrations are changed, such that high concentrations of hole and electrodes transporting components exists close to anode and cathode [P] . 德国专利： DE102006046210A1 . 2008-04-03

机译：有机光电探测器，即有机光电二极管，具有体-异质结共混物，其成分浓度发生了变化，因此高浓度的空穴和电极在靠近阳极和阴极的位置存在着传输成分的电极
4. Photodetector for low light power levels has monolithically integrated transimpedance amplifier, evaluation electronics, connections between photocell, electronic circuit parts parallel to chip normal and/or perpendicular to chip plane [P] . 德国专利： DE10357135A1 . 2005-06-30

机译：用于低光功率水平的光电探测器具有单片集成的跨阻放大器，评估电子器件，光电管之间的连接，平行于芯片法线和/或垂直于芯片平面的电子电路部件
5. Semiconductor device with Schottky and ohmic electrodes in contact with a heterojunction [P] . 美国专利： US7786511B2 . 2010-08-31

机译：肖特基电极和欧姆电极与异质结接触的半导体器件