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用于直接地测量在晶片上的高高宽比蚀刻部件的深度的系统

摘要

一种用于直接地测量在包括蚀刻表面(82)和非蚀刻表面(84)的晶片(80)上的高高宽比蚀刻部件的深度的系统(10)。该系统(10)使用红外线反射计(12),该红外线反射计(12)在一个优选实施例中包括扫描激光器(14)、光纤环行器(16)、光电检测器(22)和组合准直仪(18)与物镜(20)。从物镜(20)产生聚焦入射光(23),该聚焦入射光(23)被施加到晶片(80)的非蚀刻表面(84)。从晶片(80)产生反射光(25),该反射光(25)通过反射计(12)被处理,并且被施加到ADC(24),在ADC(24)处产生对应的数字数据信号(29)。数字数据信号(29)被施加到计算机(30),计算机(30)与软件(32)组合地测量蚀刻部件的深度,然后在显示器(34)上观看该深度。

著录项

  • 公开/公告号CN102460672B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 鲁道夫科技公司;

    申请/专利号CN201080028092.4

  • 发明设计人 大卫·S·马克斯;大卫·L·格朗特;

    申请日2010-06-14

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人余刚

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-20

    授权

    授权

  • 2014-07-23

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 变更前: 变更后: 登记生效日:20140703 申请日:20100614

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-07-23

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 变更前: 变更后: 登记生效日:20140703 申请日:20100614

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-08-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20100614

    实质审查的生效

  • 2012-05-16

    公开

    公开

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