法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-20
授权
授权
2014-07-23
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 变更前: 变更后: 登记生效日:20140703 申请日:20100614
专利申请权、专利权的转移
2014-07-23
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 变更前: 变更后: 登记生效日:20140703 申请日:20100614
专利申请权、专利权的转移
2012-08-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20100614
实质审查的生效
2012-05-16
公开
公开
机译: 用于在等离子蚀刻工艺中测量晶片蚀刻速率和蚀刻深度的方法和设备。
机译: 用于直接测量晶圆上高纵横比蚀刻特征深度的系统
机译: 用于直接测量晶圆上高纵横比蚀刻特征深度的系统