公开/公告号CN201704401U
专利类型实用新型
公开/公告日2011-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 赫得纳米科技(昆山)有限公司;
申请/专利号CN201020186323.1
发明设计人 黄国兴;
申请日2010-05-11
分类号
代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;
代理人董建林
地址 215300 江苏省昆山市城北都市路21号
入库时间 2022-08-21 23:15:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/35 授权公告日:20110112 终止日期:20180511 申请日:20100511
专利权的终止
2011-01-12
授权
授权
机译: 用于涂覆基底表面的磁控阴极由环形靶构成,该环形靶具有板状构造,该靶围绕布置为定子的第一轭部的中央部分布置
机译: 冷却系统,例如一种用于CD涂层的磁控阴极靶,具有一个扁平轴承环,该轴承环带有用于U形活塞四肢的凹槽,以在该环和活塞内部之间形成冷却通道
机译: 直流磁控反应溅射的溅射靶,利用该靶形成薄层的过程,以及具有该过程形成的层的光碟