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具有交替电磁场的矩形平面磁控靶

摘要

本实用新型公开了一种具有交替电磁场的矩形平面磁控靶,涉及溅射镀膜设备技术领域,包括靶材本体,其特征在于:还包括磁体,所述磁体设置在靶材本体的上部,所述磁体包含两组电磁铁,两组电磁铁相互交叉设置。本实用新型解决了现有技术矩形平面磁控靶中永磁体磁场分布及水平场强的局限性,造成靶材利用率较低,靶材利用率在30%左右,同时永磁体磁性稳定性较差的问题,本实用新型提供了一种结构简单,使用方便,能够增加靶材利用率的具有交替电磁场的矩形平面磁控靶。靶材利用率可提升到65%左右,降低了靶材成本,延长换靶周期降低停机时间。同时本实用新型采用电磁铁在使用过程中不会产生消磁现象,能够稳定产品的品质,节约了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN201704401U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2011-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 赫得纳米科技(昆山)有限公司;

    申请/专利号CN201020186323.1

  • 发明设计人 黄国兴;

    申请日2010-05-11

  • 分类号

  • 代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;

  • 代理人董建林

  • 地址 215300 江苏省昆山市城北都市路21号

  • 入库时间 2022-08-21 23:15:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/35 授权公告日:20110112 终止日期:20180511 申请日:20100511

    专利权的终止

  • 2011-01-12

    授权

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