公开/公告号CN201523484U
专利类型实用新型
公开/公告日2010-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 宜硕科技(上海)有限公司;
申请/专利号CN200920212192.7
申请日2009-11-10
分类号
代理机构上海唯源专利代理有限公司;
代理人曾耀先
地址 201103 上海市闵行区宜山路1618号综合楼1楼
入库时间 2022-08-21 23:10:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H05K3/22 授权公告日:20100707 终止日期:20141110 申请日:20091110
专利权的终止
2010-07-07
授权
授权
机译: 去除特别是涡轮机叶片上的热气腐蚀保护层涉及反应性或非反应性真空蚀刻,其中组件与高密度等离子体接触,并使用负偏置电势从中提取气体离子
机译: 微流体结构的制造方法,涉及在掩模的硬质层上进行反应性离子蚀刻,去除结构化的光致抗蚀剂层,以及在掩模硬质的钛基板上蚀刻微流体结构
机译: 钝化半导体硅电路和分立元件的表面的方法包括局部暴露硅的表面并通过反应性离子蚀刻产生初级的针状硅结构。