首页> 中国专利> 薄框架三极管

薄框架三极管

摘要

本实用新型涉及一种三极管,该三极管的框架的引脚厚度为0.35-1.20mm,框架的本体厚度为0.35-1.20mm。该三极管框架的本体厚度小于传统三极管框架的本体厚度(一般为1.27mm-1.30mm),从而可以节省成本。

著录项

  • 公开/公告号CN201438465U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2010-04-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市晶导电子有限公司;

    申请/专利号CN200920132923.7

  • 发明设计人 辛杰;王明珠;

    申请日2009-06-16

  • 分类号

  • 代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人何平

  • 地址 518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园三号厂房1-4层

  • 入库时间 2022-08-21 23:08:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L29/72 授权公告日:20100414 申请日:20090616

    专利权的终止

  • 2010-04-14

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号