张应力LPCVD SiO₂膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种张应力LPCVD？SiO₂膜的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO₂膜，F1＜0；对压应力SiO₂膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO₂膜退火使得压应力SiO₂膜转变为应力为F2的张应力SiO₂膜，F2＞0。依照本发明的LPCVD张应力SiO₂膜制备工艺，其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容，不但实现双材料悬臂梁的应力匹配，而且明显增强SiO₂的抗XeF₂腐蚀能力，最终使采用Al和SiO₂双材料的、应力匹配的悬臂梁制作成功实现。