silicon; mechatronics; elemental semiconductors; semiconductor thin films; micromechanical devices; stress control; internal stresses; annealing; micromachining; doping profiles; plasma CVD coatings; controlling residual film stress; LPCVD polysilicon films; surface micromachined MEMS; microelectromechanical machine industry; MEMS industry; polysilicon stress; polysilicon blanket residual stress; dopant concentration; sheet resistance; annealing; thermal cycles; 20 to 180 min; Si;
机译:RTA参数对多层LPCVD多晶硅膜的残余应力和应力梯度的影响
机译:微机械加工的多晶硅薄膜的表面强度对拉伸强度的影响
机译:用于MEMS的LPCVD多晶硅和氮化硅薄膜的合成与表征
机译:一种控制LPCVD多晶硅薄膜残留膜应力的方法,用于表面微磨床
机译:用于应力测量的微机械传感器以及用于MEMS应用的自支撑薄膜的微机械研究。
机译:基于水泡试验技术的残余应力薄膜/基体系统表面和界面力学性能同步表征的理论研究
机译:表面处理对沉积LpCVD多晶硅薄膜晶粒度和表面粗糙度的影响
机译:多晶硅薄膜中的氟注入和残余应力