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公开/公告号CN201344973Y
专利类型
公开/公告日2009-11-11
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN200920105220.5
发明设计人 郑洋;谢丹;任天令;刘理天;
申请日2009-01-16
分类号
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人廖元秋
地址 100029 北京市海淀区清华园
入库时间 2022-08-21 23:05:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R33/06 授权公告日:20091111 终止日期:20130116 申请日:20090116
专利权的终止
2009-11-11
授权
机译: 磁场传感器的磁电复合材料
机译: 超低功率磁电磁场传感器
机译: 平面磁电磁场传感器
机译:基于磁电复合材料的高灵敏度晶圆级封装MEMS磁场传感器
机译:基于磁电复合材料的MEMS磁场传感器
机译:磁电Zn_(0.2)Co_(0.8)Fe_2O_4-PbZr_(0.58)Ti_(0.42)O_3纳米复合材料,用于双稳态存储器和磁场传感器应用
机译:基于Terfenol-D / PZT / Terfenol-D磁电复合材料的微磁场传感器
机译:异结构磁电磁场传感器的动态磁致伸缩响应。
机译:脉冲磁场传感器中Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9 / Piezofiber复合材料的非线性磁电响应
机译:圆周模式,准环型,磁电层压复合材料 - 高度敏感的电流和/或涡流磁场传感器
机译:铁纳米粒子填充聚氨酯纳米复合材料的磁电和磁电评价