公开/公告号CN201194225Y
专利类型
公开/公告日2009-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州固锝电子股份有限公司;
申请/专利号CN200820034904.6
申请日2008-04-03
分类号
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人马明渡
地址 215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
入库时间 2022-08-21 23:01:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/488 授权公告日:20090211 终止日期:20170403 申请日:20080403
专利权的终止
2009-02-11
授权
授权
机译: 具有包括硅纳米点的发光层的微小型半导体发光二极管,包括微小型半导体发光二极管的半导体发光二极管阵列以及制造半导体微粒的方法
机译: 具有包括硅纳米点的发光层的微小型半导体发光二极管,包括微小型半导体发光二极管的半导体发光二极管阵列以及制造半导体微粒的方法
机译: 应用相同的三极管型三极管和三极管型高导体的高线性度和低畸变特性的获取方法