法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-12-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01P5/22 授权公告日:20061004 终止日期:20091027 申请日:20050927
专利权的终止
2006-10-04
授权
授权
机译: 制造三维集成芯片的方法,包括将隔离的组件的接触表面与衬底的集成电路部分连接,并从隔离的组件中移除另一个衬底
机译: 与单晶衬底垂直隔离的集成电路结构,包括通过在衬底中注入和退火稀有气体原子形成的隔离层
机译: 从单晶衬底垂直隔离制造集成电路结构的方法,包括通过在衬底中注入和退火稀有气体原子形成的隔离层