法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/115 授权公告日:20060920 终止日期:20100715 申请日:20050715
专利权的终止
2006-09-20
授权
授权
机译: 用于非挥发性半导体存储器的过度擦除细胞检测系统,用于非挥发性半导体存储器的过度擦除细胞消除系统,用于非导电半导体存储器的非易失性电池检测方法,用于电介质记忆的电介质超导体检测方法挥发性半导体存储器
机译: 用于非挥发性半导体存储器单元的自调谐电压发生器,用于非挥发性半导体存储器单元的非挥发性半导体存储器以及用于自备存储器单元的电压自产生的方法
机译: 使用量子点的非挥发性单电子晶体管存储器及其方法,以及使用量子点的非挥发性电子晶体管及其方法