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金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件

摘要

金属萘酞菁配合物旋涂膜气体传感器元件涉及气体传感器工作元件;在硅基底上固装二氧化硅层,真空蒸镀成对平面叉指铝电极均布在二氧化硅层上平面上,金属萘酞菁配合物旋涂膜层整体配置在真空蒸镀成对平面叉指铝电极上方,将其覆盖包容;本元件制备方法简单易行,制造价格低廉,有利于工业化生产,对气体灵敏度高、选择性好。

著录项

  • 公开/公告号CN2768005Y

    专利类型

  • 公开/公告日2006-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黑龙江大学;

    申请/专利号CN200520020297.4

  • 发明设计人 王彬;左霞;吴谊群;

    申请日2005-02-25

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

  • 入库时间 2022-08-21 22:50:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/31 授权公告日:20060329 申请日:20050225

    专利权的终止

  • 2006-03-29

    授权

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