公开/公告号CN2731716Y
专利类型
公开/公告日2005-10-05
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200420084368.2
申请日2004-08-19
分类号H01L27/01;H01L27/02;H01L27/00;H01G4/00;
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-21 22:49:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-12-26
其他有关事项避免重复授权放弃专利权 放弃生效日:20071205 申请日:20040819
其他有关事项避免重复授权放弃专利权
2005-10-05
授权
授权
机译: 硅晶片功率组件上具有金属化侧壁的半导体组件在组件的底面和部分覆盖的金属侧壁上具有金属边缘,并在硅晶片上蚀刻出深槽。
机译: 可通过铆接,组件的组装而连接到一块金属板上的元件,以及将组件连接到板上的一块金属上以形成安装组件的方法
机译: 的方法和装置,用于通过将来自非金属化合物的电流通过形成在金属中间层组件上的非金属化合物放置在金属基板上