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公开/公告号CN2610487Y
专利类型
公开/公告日2004-04-07
原文格式PDF
申请/专利权人 北京师范大学;
申请/专利号CN02256425.X
发明设计人 吴先映;李强;张胜基;张荟星;张孝吉;
申请日2002-10-08
分类号H01J27/08;
代理机构
代理人
地址 100875 北京市新街口外大街19号
入库时间 2022-08-21 22:46:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-11-22
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-04-07
授权
机译: 真空弧蒸气沉积方法,真空弧蒸气沉积设备以及使用真空弧蒸气沉积方法制造的薄膜和物品
机译: 真空金属团离子源和离子化束流沉积
机译: 真空弧蒸气沉积装置和真空弧蒸气沉积方法
机译:金属蒸气真空电弧离子源离子束合成纳米晶FeSi_2 / Si的结构和发光性能
机译:通过向金属蒸气真空电弧离子源添加第二个阳极来增强离子束电荷状态
机译:增强金属蒸气真空电弧离子源电子束的两种方法
机译:真空弧离子源磁绝缘二极管表征强脉冲铝离子束
机译:从电子回旋共振离子源提取离子束,以及随后的低能束流传输。
机译:胶束计算机断层扫描上胶和金属柱在束流计算机断层扫描上产生的束硬化伪影的大小
机译:开发具有ECR离子源强孔金属离子束的新型高温炉
机译:用mEVVa(金属蒸汽真空电弧)高电流金属离子源对Y-Ba-Cu-O系统进行离子束改性。