退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN2597948Y
专利类型
公开/公告日2004-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 华南师范大学;
申请/专利号CN03222840.6
发明设计人 黄钊洪;
申请日2003-01-09
分类号G01D5/26;H01L49/00;
代理机构广州粤高专利代理有限公司;
代理人杨晓松
地址 510630 广东省广州市天河区石牌
入库时间 2022-08-21 22:45:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-03-04
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-01-07
授权
机译: 使用I-III-VI2化合物半导体的磁阻元件,用于制造所述磁阻元件的方法和磁力存储装置和自旋晶体管,其中使用所述磁阻元件
机译: 主动式光电传感器像素,主动式光电传感器阵列和感光方法
机译: 使用I-III-VI2化合物半导体的磁阻元件及其制造方法,使用其的磁存储器件和自旋晶体管
机译:用于复杂光电传感器系统的III-V类化合物半导体
机译:电容式收割机深度控制中电容式和光电传感器的比较
机译:使用反射式光电传感器为ALS患者开发“眼镜式单开关”
机译:使用反射型光电传感器的低成本开关磁阻电动机位置检测方法
机译:使用嵌入式磁场传感器的开关磁阻电机的转矩和位置估计。
机译:基于光电传感器的头戴式显示器延迟测量系统
机译:全包式磁阻隧道磁阻0.5si0.5基磁隧道结
机译:CCD光电传感器阵列开发程序(第二阶段)和附录a:分布式浮动门放大器(DFGa)。