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化合物半导体磁阻式光电传感器

摘要

本实用新型提供一种化合物半导体磁阻式光电传感器,包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片,其相互连接关系为:化合物半导体磁阻芯片固定在基片上,基片与永磁体固定连接,半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。本化合物半导体磁阻式光电传感器具有体积小、重量轻、结构牢固紧凑、使用寿命长的优点,而且制造容易、加工方便,生产成本较低,适合于大规模地推广使用,可适用于自动控制、数码传输、光电隔离等现代测量与控制领域,应用前景较广。

著录项

  • 公开/公告号CN2597948Y

    专利类型

  • 公开/公告日2004-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN03222840.6

  • 发明设计人 黄钊洪;

    申请日2003-01-09

  • 分类号G01D5/26;H01L49/00;

  • 代理机构广州粤高专利代理有限公司;

  • 代理人杨晓松

  • 地址 510630 广东省广州市天河区石牌

  • 入库时间 2022-08-21 22:45:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-03-04

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-01-07

    授权

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