扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器

摘要

把锑化铟－铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中，用红光脉冲照射，可以使它的输出信号增强。把灵敏度为 Ｋ１－３ ５，Ｋ２＝１．０ ２（Ｂ＝０．３ Ｔ）的两个磁阻元件，置于 Ｂ＝０．２Ｔ偏磁系统中，用峰值波长λｐ＝６６０ｎｍ的红光照射，发现输出电压Ｖｏｕｔ比没有偏磁场存在时增大３．１倍。