可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器

摘要

本实用新型涉及具有高集成度的单电子存储器，包括：以硅作为衬底，其表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在其上设置栅极、电极和数据线引脚；其中两个电极、一个栅极和数据线引脚，是由位于二氧化硅绝缘层上的导电层形成的；两个电极具有间距；一碳纳米管在两个电极之上，与两个电极欧姆接触；栅极位于两个电极的一侧；并在衬底的另一边设置数据线引脚；另一根碳纳米管在栅极和数据线引脚之上，并与两者欧姆接触；碳纳米管上有两个隧穿结，二者之间形成碳纳米管上的一个量子点。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的电流可以实现存储器数据的读出。