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公开/公告号CN2529223Y
专利类型
公开/公告日2003-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN02204910.X
发明设计人 王克争;何方殿;
申请日2002-03-01
分类号G01J5/00;G01J5/60;
代理机构
代理人
地址 100084 北京市100084-82信箱
入库时间 2022-08-21 22:44:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-04-25
专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-01-01
授权
机译: 用于辐射检测的半导体检测器,特别是pn电荷耦合器件检测器,具有保护环,选择阳极设置在保护环内以读出辐射
机译: 电子冲击电荷耦合器件(EBCCD),以及使用EBCCD检测器的检测系统
机译: 用作背照式多针光检测器或电荷耦合器件传感器的半导体检测器装置具有多个空间分配给半导体结构的半导体衬底区域
机译:缀合位置敏感检测器基于电荷耦合器件,用于与便携式静态质谱仪中检测离子
机译:采用电荷耦合器件作为检测器的两通道直接检测多普勒激光雷达
机译:使用电荷耦合器件进行透明物体检测的光学层析成像系统
机译:基于彩色CCD的CMT焊接温度场检测技术研究
机译:对用作太空应用的核带电粒子检测器的电荷耦合器件(CCD)的评估。
机译:使用带有人工照明的电荷耦合器件(CCD)视觉传感器在夜间自然环境中进行绿葡萄检测和拾取点计算
机译:在紫外线波长下具有高量子效率的电荷耦合器件检测器
机译:使用Delta掺杂电荷耦合器件进行单事件KeV质子检测