退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN2480823Y
专利类型
公开/公告日2002-03-06
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN01246269.1
发明设计人 张翔九;胡际璜;
申请日2001-06-29
分类号G01J1/00;H01L31/0264;
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市邯郸路220号
入库时间 2022-08-21 22:43:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-08-29
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-06
授权
机译: 硅锗异质结双极性晶体管发射极中的硅碳层
机译: 硅锗异质结双极晶体管的硅碳发射极
机译: 硅锗异质结双极晶体管的发射极中的碳硅层
机译:硅锗BiCMOS技术中硅锗异质结双极晶体管性能下降的表征
机译:发射极和集电极宽度对硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)性能的影响的仿真
机译:硅锗异质结双极晶体管中混合模式可靠性退化的发射极缩放比例依赖性
机译:外延基硅锗异质结双极晶体管的发射极基结ESD可靠性
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:基于Bi2Se3(Sb2Te3)/硅异质结的自滤波单色红外探测器
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用