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新型非晶硅有源寻址面阵图像传感器

摘要

本实用新型涉及非晶硅有源寻址面阵图像传感器的制造。带有TFT/PIN面阵图像传感器矩阵的下玻璃板衬底、上玻璃板、密封胶圈、密封盒内充填的氮气和薄膜TFT/PIN图像传感器矩阵和电极引线构成非晶硅有源寻址面阵图像传感器;本实用新型是用低温聚酰亚胺与非晶硅材料共同形成冗余结构,既保持了聚酰亚胺绝缘层的绝缘特性,又提高了PI层耐后道微细加工能力,可提高制备TFT/PIN面阵图像传感器的成品率;而面阵器件的整体真空封装,将使面阵传感器性能稳定性得到提高。

著录项

  • 公开/公告号CN2359842Y

    专利类型

  • 公开/公告日2000-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南开大学;

    申请/专利号CN98249026.7

  • 发明设计人 赵颖;熊绍珍;周桢华;吴春亚;

    申请日1998-11-23

  • 分类号H04N5/225;

  • 代理机构南开大学专利事务所;

  • 代理人赵尊生

  • 地址 300071 天津市卫津路94号

  • 入库时间 2022-08-21 22:39:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2003-12-24

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2000-01-19

    授权

    授权

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