首页> 中国专利> 一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法

一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/22 授权公告日:20160406 终止日期:20181129 申请日:20131129

专利权的终止
2016-04-06

授权

授权
2016-04-06

授权

授权
2014-03-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/22 申请日:20131129

实质审查的生效
2014-03-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/22 申请日:20131129

实质审查的生效
2014-02-26

公开

公开
2014-02-26

公开

公开

查看全部

1. 一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法 [P] . 中国专利： CN103603043B . 2016.04.06
2. 一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法 [P] . 中国专利： CN103614775B . 2015.11.25
3. Apparatus and method for doping a semiconductor melt comprising a seed chuck, a seed crystal connected to the seed chuck, and a dopant container connected to the seed chuck between a first and second end of the apparatus [P] . 美国专利： US10337118B2 . 2019-07-02

机译：在装置的第一端和第二端之间掺杂半导体熔体的设备和方法，该设备和方法包括籽晶卡盘，连接至籽晶卡盘的籽晶以及连接至籽晶卡盘的掺杂剂容器
4. Semiconductor device fabricated by a method of reducing electromigration in copper lines by forming an interim layer of calcium-doped copper seed layer in a chemical solution [P] . 美国专利： US6486560B1 . 2002-11-26

机译：通过在化学溶液中形成钙掺杂的铜籽晶层的中间层来减少铜线中电迁移的方法制造的半导体器件
5. Method for producing a silicon carbide single crystal growth seed crystal for silicon carbide single crystal growth seed crystal, the manufacturing method of silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal [P] . 日本专利： JP4733485B2 . 2011-07-27

机译：用于碳化硅单晶生长籽晶的碳化硅单晶生长籽晶的制造方法，碳化硅单晶的制造方法以及碳化硅单晶