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公开/公告号CN2269005Y
专利类型
公开/公告日1997-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 郑佑红;李浩;陈望斌;
申请/专利号CN96239655.9
发明设计人 郑佑红;李浩;陈望斌;刘先进;
申请日1996-10-15
分类号H01T19/04;
代理机构武汉市专利事务所;
代理人潘杰
地址 430033 湖北省武汉市汉口解放大道558号西陵大厦1510室
入库时间 2022-08-21 22:37:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2001-11-28
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-11-26
授权
机译: 爆破型消静电电极结构及爆破型消静电电极装置
机译: 薄膜大体积声谐振器装置与III-N型半导体晶体管装置的单相共集成技术
机译:用于地震应用的免填充屈曲约束型保险丝消能装置的特性
机译:高铁和薄钢板制造空隙的消隐型结构装置
机译:新产品“WPF后流压检测型差压流量计”和用作数字测试仪也“针型低压标准流动型”半导体制造工艺压力调节器,高精度层流元型气体混合装置“FG搅拌机等。
机译:使用紧凑型测量装置的实时重建的雷收解方法
机译:串联水分解装置中BiVO4光电阳极和敏化的宽间隙p型氧化物的半导体光化学
机译:醋酸格拉替雷对复发缓解型多发性硬化症脊髓体积的影响
机译:用于新型N型半导体/绝缘体/ P型半导体可充电装置的TiO X / Sub> I>膜的光谱研究
机译:带消能装置的桥梁结构损伤识别程序