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公开/公告号CN2186249Y
专利类型
公开/公告日1994-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所;
申请/专利号CN94237225.5
发明设计人 彭传才;魏敏;胡云慧;田雨时;刘重光;金昭廷;黄广连;
申请日1994-04-27
分类号C23C14/35;
代理机构湖南省专利服务中心;
代理人乔清杰
地址 410073 湖南省长沙市国防科技大学四系
入库时间 2022-08-21 22:35:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-06-04
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-12-28
授权
机译: 能够产生图案的磁控溅射镀膜机
机译: 磁控溅射镀膜机及其提高磁场均匀性的方法
机译: 具有双磁控溅射系统和离子束源同步的膜沉积装置
机译:封闭场不平衡磁控溅射离子镀膜机的配方控制
机译:钙离子增强双ac啶二酮-金纳米棒的荧光并端到端组装
机译:新型涂料的热腐蚀;磁控溅射离子镀CrAlYN,HIPIMS沉积的TiAlYN / CrN + Alox的Hauzer涂层和由双磁控溅射在750℃50hrs测试中沉积的Hauzer的Al2O3覆盖层的TiAlN
机译:磁控溅射氮化钛和氧氮化钛的宽可调性,适用于等离子应用
机译:pH响应非离子型双嵌段共聚物:羧酸端基的电离诱导有序的形态转变。
机译:磁控溅射镀膜工艺的端到端仿真
机译:高频三端和四端双电容器的评估