基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器

摘要

本发明涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器，属于电子元器件技术领域。该功率放大器包括输入偏置网络连接的输入匹配网络、输出偏置网络连接的输出匹配网络、以及晶体管；晶体管分别与输入匹配网络和输出匹配网络连接。本发明的功率放大器电路的拓扑结构基于逆F类功率放大器，通过控制其偏压变化，可使功率放大器在AB类和逆F类两种模式间切换工作；以使功率放大器同时具有AB类高线性度和逆F类高效率特性。在无线通讯系统中，据实际情况，当需要功率放大器提供较高线性度时，调节晶体管偏压使其工作在AB类工作状态；当需要功率放大器提供较高效率时，调节晶体管偏压使其工作在逆F类工作状态。