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半导体器件扇出倒装芯片封装结构

摘要

本发明公开了一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构,包括芯片,所述芯片上设有电极,所述芯片和所述电极上选择性的覆盖有钝化层,所述电极上设有绝缘中空柱状件,所述绝缘中空柱状件表面及位于所述绝缘中空柱状件内部的所述电极表面设有金属层,所述金属层上、所述绝缘中空柱状件内设有第一金属柱,所述第一金属柱上及所述金属层上设有第二金属柱,所述第二金属柱上设有铜板。本发明绝缘中空柱状件中的第一金属柱,能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力,解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂,导致半导体器件失效的问题。第二金属柱的外周环状部分通过接触绝缘中空柱状件再接触半导体芯片,缓解了柱状凸点对半导体芯片的压力。

著录项

  • 公开/公告号CN103354224B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南通富士通微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201310211398.9

  • 发明设计人 施建根;顾健;王小江;

    申请日2013-05-29

  • 分类号

  • 代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人孟阿妮

  • 地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L23/485 变更前: 变更后: 申请日:20130529

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-04-13

    授权

    授权

  • 2013-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/485 申请日:20130529

    实质审查的生效

  • 2013-10-16

    公开

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