一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法

摘要

本发明涉及一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法。该方法包括：采用升华法将碳化硅源料加热至升华，根据剩余碳化硅源料形状判断温场情况，确定出高温区与次高温区域；在高温区与次高温区放置盛有掺杂剂的石墨坩埚；再填满源料继续生长。所得碳化硅晶棒电阻率均匀性好，切割的晶片均呈半绝缘特性，可实现高产率的半绝缘碳化硅晶片的生产。