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在电感耦合的等离子体内改善等离子体分布及性能的设备

摘要

一种采用等离子体(28)处理衬底(18)的处理系统(12)包括:处理室(13),该处理室确定了一处理空间(14)并包括在该空间内支承衬底(18)的衬底支承件(17);将处理气体导入上述处理空间(14)的气体入口(20)。一个自引入处理空间(14)内的处理气体产生一等离子体(28)的等离子体源。该等离子体源包括一个与处理室(13)接界并靠近处理空间(14)的介电窗(24a),以及一个靠近介电窗(24a)并置于处理室(13)外的电感元件(10)。该电感元件(10)可耦合电能穿过介电窗(24a)进入处理空间(14)并在其中产生等离子体(28),该电感元件包括多种可选结构来产生密集均匀的等离子体。

著录项

  • 公开/公告号CN1201370C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京电子有限公司;

    申请/专利号CN00808090.9

  • 发明设计人 约瑟夫·布里卡;

    申请日2000-03-23

  • 分类号H01J37/32;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人蹇炜

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/32 授权公告日:20050511 终止日期:20130323 申请日:20000323

    专利权的终止

  • 2005-05-11

    授权

    授权

  • 2002-06-12

    公开

    公开

  • 2002-05-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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