公开/公告号CN102969362B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201110257880.7
申请日2011-09-01
分类号H01L29/786(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/26(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11345 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈红
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3#
入库时间 2022-08-23 09:37:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-30
授权
授权
2013-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20110901
实质审查的生效
2013-03-13
公开
公开
机译: 用于形成非晶态金属氧化物半导体层的前驱体组合物用于制造相同和半导体器件的非晶态金属氧化物半导体层的方法
机译: 用于形成非晶态金属氧化物半导体层的前驱体组合物用于制造相同和半导体器件的非晶态金属氧化物半导体层的方法
机译: 用于形成非晶态金属氧化物半导体层的前体组合物,用于制造非晶态金属氧化物半导体层的方法以及用于制造半导体器件的方法