公开/公告号CN1018970B
专利类型发明专利
公开/公告日1992-11-04
原文格式PDF
申请/专利权人 欧文斯·伊利诺衣电视产品公司;
申请/专利号CN88103168.2
发明设计人 詹姆斯·埃里奇·拉普;
申请日1988-05-28
分类号H01L21/22;C30B31/08;C04B35/00;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨丽琴
地址 美国俄亥俄州
入库时间 2022-08-23 08:54:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-02-11
专利权的终止(专利权有效期届满)
专利权的终止(专利权有效期届满)
2009-02-11
专利权的终止(专利权有效期届满)
专利权的终止(专利权有效期届满)
2009-02-11
专利权的终止(专利权有效期届满)
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24
其他有关事项 其他有关事项:1992年12月31日以前的发明专利申请，授予专利权且现仍有效的，其保护期限从15年延长到20年。 根据国家知识产权局第80号公告的规定，下述发明专利权的期限由从申请日起十五年延长为二十年。在专利权的有效期内，所有的专利事务手续按照现行专利法和实施细则的有关规定办理。 申请日:19880528
其他有关事项
2002-04-24
其他有关事项
其他有关事项
2002-04-24
其他有关事项
其他有关事项
1996-07-10
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-07-10
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-07-10
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-08-04
授权
授权
1993-08-04
授权
授权
1993-08-04
授权
授权
1992-11-04
审定
审定
1992-11-04
审定
审定
1992-11-04
审定
审定
1990-09-12
实质审查请求
实质审查请求
1990-09-12
实质审查请求
实质审查请求
1988-12-28
公开
公开
1988-12-28
公开
公开
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机译： 板状晶片或半导体器件的掺杂表面的形成包括施加磷掺杂剂源，形成初级掺杂表面，去除掺杂剂源和结晶的沉淀物以及形成次级掺杂表面。
机译： 原子层沉积法用卤化物元素部分掺杂氧化物薄膜的卤化物掺杂源，制造卤素掺杂源的方法，使用卤化物掺杂源部分掺杂氧化物的薄膜和原子层沉积膜的方法掺杂有方法
机译： 用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源，用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法，以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
