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柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法

摘要

本发明提供了一种柔性PI衬底CIGS薄膜电池激光刻蚀单体集成组件的方法,该方法包含:步骤1,使用激光对电池由顶电极一直刻划到PI衬底的上表面,形成第一沟道;步骤2,对第一沟道涂覆填充绝缘胶;步骤3,使用激光对电池由顶电极一直刻划到背电极的上表面,形成第二沟道;步骤4,在第二沟道以及顶电极上且由第二沟道的顶部延伸并越过第一沟道的顶部涂覆银浆;步骤5,使用激光对电池由顶电极刻蚀到高阻层的上表面,形成第三沟道,完成CIGS薄膜电池的内连式互联。本发明在铜铟镓硒薄膜电池生长完后对电池进行内连,可以避免像传统的分离式刻划需要在沉积不同层的材料后分别刻划,提高电池内连的加工效率,并且材料成本低。

著录项

  • 公开/公告号CN103618030B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海空间电源研究所;

    申请/专利号CN201310614564.X

  • 申请日2013-11-28

  • 分类号H01L31/18(20060101);

  • 代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张静洁;贾慧琴

  • 地址 200245 上海市闵行区东川路2965号

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-09

    授权

    授权

  • 2014-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20131128

    实质审查的生效

  • 2014-03-05

    公开

    公开

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