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静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用

摘要

本发明涉及高缺陷纳米线NiO的制备方法及其在光催化方面的应用。该方法主要特征在于以乙酸镍,N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体,通过简单的静电纺丝的方法,在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧过程,由于气相的逸出,产生孔洞空穴等,致使NiO纳米线表面产生大量的台阶和纽结等表面缺陷,降低表面能,使得NiO的高能面能够保存下来,大大地提高了催化效率。通过定义暴露的高能面原子密度,定量计算高能面原子密度,从而达到可控的提高光催化效率,这为以后的催化研究提供了方向。

著录项

  • 公开/公告号CN103991914B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN201410253724.7

  • 发明设计人 向斌;沈梦;杨雷;

    申请日2014-06-09

  • 分类号C01G53/04(20060101);B01J23/755(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王旭

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    授权

    授权

  • 2014-09-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G53/04 申请日:20140609

    实质审查的生效

  • 2014-08-20

    公开

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