存储器和利用该存储器实现检错纠错的方法

摘要

本发明公开了一种存储器和利用该存储器实现检错纠错的方法，用于解决现有存储器可靠性差的技术问题。技术方案是该存储器增加了地址检错电路和数据翻转控制电路。存储单元阵列采用按位交叉的排列方式。利用该存储器实现检错纠错的方法是增加存储器的输入数据建立时间和存储器读出数据的访问时间将检错纠错功能集成到存储器中；由于存储单元阵列采用按位交叉的排列方式，降低了同一个字中多位翻转的概率；数据翻转控制电路方便检错纠错电路的单粒子翻转模拟测试。由于检错纠错电路和按位交叉的数据存储方式相结合，进一步提高了存储器抗单粒子效应水平，进而提高了存储器的可靠性。