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磁存储器元件、磁存储器及磁存储器的制造方法

摘要

本发明的磁存储器在与至少层叠第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层的磁存储器元件的所述第二铁磁层的所述非磁性层侧不同的侧上经至少一个导体层设置第三铁磁层。这样,由于把磁存储器元件之间的距离作小来配置,与已有的磁存储器相比,可实现更高密度的磁存储器。另外,由于供给提供磁化信息的电流的第一导体层可靠近作为记录层的第二铁磁层来构成,即使是小电流也能产生使磁化颠倒的强大磁场,提供耗电量少的磁存储器。

著录项

  • 公开/公告号CN1203560C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普公司;

    申请/专利号CN01117335.1

  • 发明设计人 道嶋正司;林秀和;南方量二;

    申请日2001-03-22

  • 分类号H01L43/08;G11C11/15;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人栾本生;王忠忠

  • 地址 日本大阪市

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/08 授权公告日:20050525 终止日期:20160322 申请日:20010322

    专利权的终止

  • 2005-05-25

    授权

    授权

  • 2001-11-07

    公开

    公开

  • 2001-08-15

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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