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快速精确的纯位相元件离子束刻蚀加工方法

摘要

本发明涉及对纯位相元件进行加工的方法,尤其是涉及离子束刻蚀加工方法。它是将其中的点阵计算过程在继承了强迫自恰迭代算法所具备的耗时短的优良特性的基础上进行“变参数”计算,即利用PPE与实用系统参数之间的依赖关系,在计算中改变某些特定的参数,从而在充分保证输出光场结果满足要求的情况下,大大减少了位相分布的突变线,使得后续的离子束(旋转或平动)刻蚀过程实现了高精度的加工。因此,本发明可以既快速、又精确地实现PPE的离子束刻蚀加工。

著录项

  • 公开/公告号CN1190671C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN01113712.6

  • 发明设计人 李永平;徐俊中;王炜;

    申请日2001-06-19

  • 分类号G02B6/136;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 230026 安徽省合肥市金寨路96号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-08-27

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2005-02-23

    授权

    授权

  • 2003-08-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-22

    公开

    公开

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