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组合半导体整流器件和使用该组合半导体整流器件的电功率转换器

摘要

本发明提供一种组合半导体整流器件和使用该组合半导体整流器件的电功率转换器。根据本发明的组合半导体整流器件1包括PN结硅二极管1b和肖特基势垒二极管1a,该肖特基势垒二极管1a具有的击穿电压高于PN结硅二极管1b的击穿电压,而且肖特基势垒二极管1a由半导体制成,该半导体的带隙比硅的带隙宽。根据本发明的组合半导体整流器件1具有缩短的反向恢复时间、低反向漏电流特性和高击穿电压。根据本发明的组合半导体整流器件1在电功率转换器中有利地使用。

著录项

  • 公开/公告号CN101853847B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士电机株式会社;

    申请/专利号CN201010150673.7

  • 发明设计人 森本哲弘;

    申请日2010-03-16

  • 分类号H01L25/07(20060101);H02M3/155(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人侯颖媖

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:35:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-24

    授权

    授权

  • 2012-05-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/07 申请日:20100316

    实质审查的生效

  • 2011-11-09

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L25/07 变更前: 变更后: 登记生效日:20110921 申请日:20100316

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-10-06

    公开

    公开

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