晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置

摘要

本发明是一种晶片的热处理方法，其在利用支撑部件来支撑晶片的主表面即第一主表面的状态下，以加热源进行加热，从而进行在规定温度下的伴随快速升降温的热处理，其特征在于，一边控制前述加热源一边进行热处理，以使由前述支撑部件所支撑的前述第一主表面的温度比前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面的温度更高1～25℃。由此，本发明提供一种晶片的热处理方法，其能在对硅晶片进行热处理时，确实地抑制自晶片支撑位置发生的滑动位错。