公开/公告号CN103413685B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-10
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;南京大学昆山创新研究院;
申请/专利号CN201310364114.X
申请日2013-08-19
分类号
代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人陈建和
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:34:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-10
授权
授权
2013-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/04 申请日:20130819
实质审查的生效
2013-11-27
公开
公开
机译: 半导体器件的制造方法,涉及在结构上沉积金属氧化物材料,对沉积的金属氧化物材料进行退火,以及使用蚀刻停止层作为蚀刻停止层来通过另一结构进行蚀刻形成。
机译: 复杂的混合氧化物产品尤其是半导体材料-通过将材料的成分沉积到第一成分的颗粒上并进行热处理以提供所需的晶体结构
机译: 在金属氧化物基质上制备纳米结构的方法,在这种基质上沉积薄层的方法以及薄层的沉积