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通过去除沉积在掩模的空白上的膜来减少掩模重叠误差

摘要

本发明公开了一种用于通过在组中的掩模之间将框架区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。示例性方法包括:创建对应于掩模的掩模设计数据库,并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域之外的框架区域。识别框架区域内的基准部件,并且根据基准部件,识别空闲框架区域。对应于被配置成与掩模对准的参考掩模的参考掩模设计被用于确定用于空闲框架区域的参考密度。掩模设计数据库的空闲框架区域被修改为对应于参考密度。然后,修改后的掩模设计数据库可用于进一步使用,包括制造掩模。本发明还提供了一种通过去除沉积在掩模的空白上的膜来减少掩模重叠误差。

著录项

  • 公开/公告号CN103258068B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210226332.2

  • 发明设计人 李信昌;陈嘉仁;叶励志;严涛南;

    申请日2012-06-29

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:34:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-20

    授权

    授权

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20120629

    实质审查的生效

  • 2013-08-21

    公开

    公开

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