法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-21
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/782 登记生效日:20171102 变更前: 变更后: 申请日:20120116
专利申请权、专利权的转移
2016-01-20
授权
授权
2013-10-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/782 申请日:20120116
实质审查的生效
2013-09-18
公开
公开
机译: FET包括位于衬底中的源极,漏极和沟道区,以及将源极和/或漏极区与沟道区分开的阻挡层。
机译: 在体半导体中具有沟道并且在绝缘体上具有源极/漏极的MOSFET及其制造方法
机译: 具有源极漏极栅极和沟道的高压FET具有掺杂漂移区,该漂移区的势垒与主体区隔开