法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L27/146 变更前: 变更后: 申请日:20120827
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-01-20
授权
授权
2013-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20120827
实质审查的生效
2013-03-27
公开
公开
机译: 形成半导体设备对准密钥的方法,该过程用于在不进行额外处理的情况下获取有源区域和隔离区域之间的阶梯部分
机译: 制造半导体部件的方法包括制备具有有源区域和边界区域的半导体衬底,该有源区域和边界区域与有源区域相邻,其中有源区域具有带有沟槽的导电材料
机译: 半导体器件集成电路具有有源半导体区域,该有源半导体区域的外围分别由具有电介质填充材料的隔离沟槽形成,其中填充材料由氮化硅组成