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TSV裸片与封装衬底之间的结合完整性的非接触确定

摘要

本发明提供一种在部分组装之后确定TSV结合完整性的非接触电压对比VC方法。提供(101)TSV裸片,所述TSV裸片包含从所述TSV裸片的前侧延伸到所述TSV裸片的底侧上的TSV尖端的若干TSV。将至少一些TSV(接触TSV)附接到多层ML封装衬底的顶部表面上的垫。所述ML封装衬底位于阻挡对所述TSV裸片的所述前侧的电接达的衬底载体上。将包含若干群组接触TSV的两个或两个以上网共同系接在所述ML衬底内。将带电粒子参考束引导(102)到第一网内的选定TSV且接着跨越所述第一网中的所述TSV光栅化(103)带电粒子原束。检测(104)所发射的VC信号,并从所述VC信号确定(105)所述接触TSV与所述ML封装衬底的垫的结合完整性。

著录项

  • 公开/公告号CN103081082B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德州仪器公司;

    申请/专利号CN201180040648.6

  • 发明设计人 杰弗里·A·韦斯特;

    申请日2011-09-29

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王璐

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-06

    授权

    授权

  • 2013-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20110929

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    公开

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