挠性半导体装置及其制造方法、使用该挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种挠性半导体装置及其制造方法、使用该挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。挠性半导体装置的制造方法包括：(i)在金属箔的一个主面上形成绝缘层的工序；(ii)在绝缘层上形成半导体层，并且以与该半导体层相接的方式形成源电极/漏电极的工序；(iii)以覆盖半导体层及源电极/漏电极的方式形成挠性薄膜层的工序；(iv)在挠性薄膜层中形成过孔，由此获得半导体装置前体的工序；以及(v)加工金属箔，从而从该金属箔形成栅电极的工序，在工序(v)中加工金属箔时，将半导体装置前体的过孔中的至少1个过孔用作定位标记，从而在规定位置形成栅电极。