法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-16
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/336 变更前: 变更后: 申请日:20110402
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-01-20
授权
授权
2012-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20110402
实质审查的生效
2011-11-23
公开
公开
机译: 浅而窄的沟槽FET的制造方法及相关结构
机译: 浅沟槽沟槽FET的制造方法及相关结构
机译: 浅沟槽沟槽FET的制造方法及相关结构