用于处理单晶CVD金刚石的方法及获得的产品

摘要

描述了将NV中心引入单晶CVD金刚石材料的方法。该方法的一个步骤包括辐照包含单一取代氮的金刚石材料来将孤立空位以至少0.05ppm和至多1ppm的浓度引入金刚石材料中。该方法的另一步骤包括将辐照的金刚石退火以由至少一些单一取代氮和引入的孤立空位形成NV中心。还描述了粉色CVD金刚石材料和具有电子自旋性质的CVD金刚石材料。