在含硅层基材表面上形成石墨烯层的方法

摘要

本发明涉及一种在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法包括以下连续步骤：在所述硅层的自由表面上形成（1）碳化硅膜(103)；以及逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一排原子中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。根据本发明，使用了自由表面为阶梯式的硅层。