使用温度可控的限制环的刻蚀装置

摘要

本发明提供了一种使用温度可控的限制环的刻蚀装置，所述限制环包括：限制部件，为圆环形，用于限制刻蚀气体流动范围；控温部件，用于控制刻蚀气体的温度，所述控温部件位于所述限制部件的外周。所述控温部件包括用于加热的加热管和用于冷却的冷却管。在刻蚀过程中，通过调节限制环的温度，提高晶圆表面的刻蚀均匀性，从而提高了半导体器件的良品率。