首页> 中国专利> 一种镁合金表面水热沉积法制备的缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜

一种镁合金表面水热沉积法制备的缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜

摘要

本发明提出了一种缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜的制备方法,其解决了现有技术中制备工艺复杂、水滑石薄膜涂层附着性能差的问题。该制备方法包括以下步骤:a)对镁合金样品进行预处理的步骤;b)配制层状双羟基复合金属氧化物前驱体(LDHs溶胶)的步骤;c)将步骤a)预处理得到的镁合金样品和步骤b)的LDHs溶胶置于水热反应釜中进行水热沉积的步骤。本发明制备得到的薄膜层致密、光滑、厚度均匀,与基体结合力好,由于水滑石薄膜具有缓蚀性的阴离子插层,可在边界扩散层形成缓蚀区域,具有较高的耐腐蚀性能,经检测:本发明水滑石薄膜在3.5%NaCl溶液中浸泡12h,表面无点蚀坑。

著录项

  • 公开/公告号CN103695871B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东科技大学;

    申请/专利号CN201310368527.5

  • 申请日2013-08-22

  • 分类号C23C18/12(20060101);

  • 代理机构37205 济南舜源专利事务所有限公司;

  • 代理人王连君

  • 地址 266590 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号

  • 入库时间 2022-08-23 09:32:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-02

    授权

    授权

  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C18/12 申请日:20130822

    实质审查的生效

  • 2014-04-02

    公开

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