与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构及其制法

摘要

本发明公开了一种与5伏CMOS工艺兼容的NLDMOS结构及其制法，该结构包括：5伏CMOS工艺兼容形成的场氧区、多晶硅栅极、栅氧化层、隔离侧墙和源漏，其中，还包括：由CMOS工艺中的P阱构成的P型本底区，由CMOS工艺中的N阱构成的N型漂移区；其制法包括：1)P阱作为P型本底区，N阱作为N漂移区；2)控制P型本底区和N漂移区的距离；3)缩小积累区长度至-0.2～0.1μm之间；4)按5伏CMOS工艺，完成场氧区、多晶硅栅、栅氧化层、隔离侧墙、源漏和电极连接的制作。本发明使击穿电压达到25伏以上，并且可满足开关器件和模拟器件的使用特性。