具有四方环状结构反射层的发光二极管的制造方法

摘要

本发明提出了一种具有四方环状结构反射层的发光二极管的制造方法，该方法包括：在衬底的下表面形成金属反射层；所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层（MQW）、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层，p金属电极；在所述n型GaN层上形成n金属电极；所述GaN缓冲层的表面被粗化处以及所述发光二极管的上表面、所有侧面形成有表面粗化层。其中，所述p型GaN层的上表面形成有四方环状结构的反射层。