Department of Physics and Optical Sciences, Center for Optoelectronics Optical Communications,UNC Charlotte UNC, Charlotte, NC 28223;
multiple-quantum well; flip-chip; reflection layer; extraction efficiency; resistivity; forward voltage;
机译:用P-Alinn层夹着电子阻挡层,以增强alga基深紫外发光二极管的空穴注入
机译:具有m形空穴阻挡层和w形电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管的增强的光学性能
机译:具有m形空穴阻挡层和w形电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管的增强的光学性能
机译:基于Algan的深紫外光发光二极管,具有反射层
机译:深度紫外发光二极管的偏振工程
机译:通过局部调制基于AlGaN的深紫外发光二极管的n-AlGaN层中的掺杂类型来改善电流扩散
机译:反射光子晶体p接触层的反射率,用于提高基于AlGaN基深紫外发光二极管的光提取效率